AO7800：低電壓 MOSFET——20V，雙 N溝道 MOSFET 晶體管，SC70-6L

型號(hào)：AO7800

封裝：SC70-6L

類型：MOSFET 晶體管

概述：

AO7800 是20V，雙 N溝道低電壓 MOSFET 晶體管。AO7800 采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，具有出色的 RDS(ON)、低柵極電荷和低至 1.8V 的柵極電壓，尺寸小巧，采用 SOT363 封裝。它可用于多種應(yīng)用，包括負(fù)載開(kāi)關(guān)、低電流逆變器和低電流 DCDC 轉(zhuǎn)換器。

AO7800 規(guī)格參數(shù)：

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

配置：2 N-通道（雙）

FET 功能：邏輯電平門(mén)

漏源電壓（Vdss）：20V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：900mA

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：300 毫歐 @ 900mA，4.5V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：1.9nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：120pF @ 10V

功率 - 最大值：300mW

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供應(yīng)商器件封裝：SC-70-6

AO7800 產(chǎn)品特性：

VDS (V) = 20V

ID = 0.9 A (VGS = 4.5V)

RDS(ON) < 300mW (VGS = 4.5V)

RDS(ON) < 350mW (VGS = 2.5V)

RDS(ON) < 450mW (VGS = 1.8V)

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