APT10M11LVRG 是一款由 Microchip Technology 生產的高性能 N溝道功率MOSFET，采用了 POWER MOS 5? 技術 。

APT10M11LVRG 功能特性與優(yōu)勢

高功率處理能力：520W 的最大功耗和TO-264封裝使其非常適合高功率應用，并能有效散熱 。

開關性能：450nC 的柵極電荷和 10300pF 的輸入電容，表明它在具備高電流處理能力的同時，需要匹配相應的驅動電路來優(yōu)化開關速度 。

易于驅動：10V 的標準驅動電壓  和 ±30V 的最大柵源電壓 ，使其與常見的控制器兼容性好，并為驅動設計提供了一定的余量。

APT10M11LVRG 參數

產品種類: MOSFET

封裝 / 箱體: TO-264-3

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V

Id-連續(xù)漏極電流: 100 A

Rds On-漏源導通電阻: 11 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 520 W

典型應用

憑借其低導通電阻和高電流能力，APT10M11LVRG 非常適合以下領域：

開關電源：可用于高功率的AC-DC轉換器、功率因數校正（PFC）電路。

電機驅動與控制：適用于工業(yè)驅動、變頻器中的電機控制。

功率逆變器：如太陽能逆變器、不同斷電源（UPS）中的逆變電路。

大電流開關：在電源分配、負載開關等場景中充當高效開關。

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