APT28M120B2是一款高性能的N溝道功率MOSFET，屬于POWER MOS 8? 系列，采用了 TO-247-3 Variant (T-MAX? [B2]) 封裝，專為高電壓、大功率應(yīng)用而設(shè)計(jì)。

APT28M120B2產(chǎn)品特性與優(yōu)勢(shì)

APT28M120B2的設(shè)計(jì)針對(duì)高要求的電源應(yīng)用，具備以下突出特點(diǎn)：

高耐壓與功率：1200V的漏源電壓和1135W的最大功率耗散能力，使其能夠應(yīng)對(duì)嚴(yán)苛的高壓環(huán)境。

快速開關(guān)能力：相對(duì)較低的柵極電荷 (Qg) 有助于實(shí)現(xiàn)較快的開關(guān)速度，這對(duì)于提高開關(guān)電源的效率至關(guān)重要。

低導(dǎo)通電阻：在10V驅(qū)動(dòng)電壓下，導(dǎo)通電阻（Rds(on)）可低至約530mΩ，這有助于減少導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，提升能效。

APT28M120B2產(chǎn)品參數(shù)

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 1.2 kV

Id-連續(xù)漏極電流: 29 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 530 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V

Qg-柵極電荷: 300 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.135 kW

通道模式: Enhancement

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