Microchip APT30M70BVRG是一款高性能 N溝道功率MOSFET，屬于 POWER MOS 5? 系列 。它采用經(jīng)典的 TO-247 封裝，適合高功率應(yīng)用 。

APT30M70BVRG 主要參數(shù)：

制造商：Microchip Technology  

系列：POWER MOS V?  

FET 類型：N 通道  

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）：300 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：48A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： 70 毫歐 @ 500mA，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 4V @ 1mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：225 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）：±30V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：5870 pF @ 25 V  

功率耗散（最大值）： 370W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 150°C（TJ）  

安裝類型：通孔  

APT30M70BVRG 適用于多種高功率應(yīng)用，包括但不限于：

開關(guān)電源：適用于高功率開關(guān)電源設(shè)計。

電機驅(qū)動：用于電機控制和驅(qū)動電路。

逆變器：在太陽能逆變器和 UPS 中作為關(guān)鍵功率器件。

工業(yè)自動化：用于各種工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制。

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