NTBG060N065SC1（650V）碳化硅MOSFET采用 D2PAK-7L封裝，設(shè)計快速堅固。該MOSFET器件具有10倍介電擊穿場強度和2倍電子飽和速度。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：46A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：70 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.3V @ 6.5mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：74 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+22V，-8V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1473 pF @ 325 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：170W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：D2PAK-7

封裝/外殼：TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA

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