UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO247-3 封裝，具有超低柵極電荷和出色的反向恢復特性，是開關(guān)電感負載和任何需要標準柵極驅(qū)動的應用的理想之選。

UJ3C120040K3S 的特性

典型導通電阻 RDS（on），typ： 70 mΩ

最高工作溫度為 175 °C .

出色的反向恢復能力

低柵極電荷

低本征電容

ESD 保護： HBM 2 級 

該器件無鉛、無鹵素，符合 RoHS 規(guī)范

UJ3C120040K3S 的典型應用

電動汽車充電

光伏逆變器

開關(guān)模式電源

功率因數(shù)校正模塊

電機驅(qū)動器

感應加熱

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