商品名稱：碳化硅 MOSFET 晶體管
品牌：Wolfspeed
年份：25+
封裝：TO-247-3
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
C3M0045065K 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。
C3M0060065D 的特性
第三代碳化硅 MOSFET 技術
高阻塞電壓，低導通電阻
高速開關，低電容
快速本征二極管，低反向恢復 (Qrr)
無鹵素，符合 RoHS 規(guī)范
C3M0060065D 的優(yōu)點
更高的系統(tǒng)效率
降低冷卻要求
功率密度更高
提高系統(tǒng)開關頻率
易于并聯(lián)，驅(qū)動簡單
支持新的硬開關 PFC 拓撲（圖騰-極）
C3M0060065D 的應用
電動汽車充電
服務器電源
太陽能光伏逆變器
不間斷電源
直流/直流轉(zhuǎn)換器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答：可以通過網(wǎng)站上詢價，也可以通過電話以及郵箱咨詢。
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答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
Wolfspeed（紐交所代碼：NYSE）在全球采用碳化硅和 GaN 技術方面處于市場領先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開關器件和射頻器件，涵蓋電動汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲以及航空航天和國…
C3M0045065K
C3M0045065K 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0045065K 的特性C3MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術優(yōu)化封裝，具有獨立的驅(qū)動源引腳漏極和源極之間的爬電距離為 8 毫米高阻斷電壓，低導通電阻高速開關，低電容快速本征二極管，低反向恢復 (Qrr)無鹵素，符合…
C3M0021120D
C3M0021120D 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0021120D 的特點第三代碳化硅 MOSFET 技術高阻斷電壓，低導通電阻高速開關，低電容具有低反向恢復 (Qrr) 的快速本征二極管無鹵素，符合 RoHS 規(guī)范C3M0021120D 的優(yōu)點降低開關損耗，最大限度地減少柵極振鈴…
E4M0060075K1
E4M0060075K1 是汽車 N 溝道增強模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0060075K1 的特點優(yōu)化封裝，具有獨立的驅(qū)動源引腳高阻斷電壓，低導通電阻高速開關，低電容本征二極管速度快，反向恢復 (Qrr) 低無鹵素，符合 RoHS 規(guī)范通過汽車認證 (AEC-Q101)，符合 PPAP 要求E…
E4M0045075K1
E4M0045075K1 是汽車 N 溝道增強模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0045075K1 的特點優(yōu)化封裝，具有獨立的驅(qū)動源引腳高阻斷電壓，低導通電阻高速開關，低電容本征二極管速度快，反向恢復 (Qrr) 低無鹵素，符合 RoHS 規(guī)范通過汽車認證 (AEC-Q101)，符合 PPAP 要求E…
HAS350M12BM3
HAS350M12BM3是一款1200 V、4 mΩ、62 mm、半橋、工業(yè)級 HV-H3TRB 認證、CTI 600、SiC 功率模塊。Wolfspeed HAS模塊非常適用于高頻 工業(yè)應用，如感應加熱、軌道/牽引、電機驅(qū)動器和電動汽車充電基礎設施。HAS350M12BM3具有以下特性：漏源電壓（Vdss）：1200V25C 時電流 -…
HAS530M12BM3
HAS530M12BM3是一款1200 V、2.67 mΩ、62 mm、半橋、工業(yè) HV-H3TRB 認證的SiC 功率模塊，主要用于感應加熱、電機驅(qū)動、能源發(fā)電、智能電網(wǎng)、鐵路、電動汽車快速充電等高頻工業(yè)應用?領域。HAS530M12BM3模塊的特性漏源電壓（Vdss）：1200V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：530…電話咨詢：86-755-83294757
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