NTBG032N065M3S 是一款全新的650V M3S 平面 SiC MOSFET 系列器件，針對快速開關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。平面技術(shù)與負(fù)柵極電壓驅(qū)動一起可靠地工作，并關(guān)閉柵極上的尖峰。該系列在采用 18V 柵極驅(qū)動時具有最佳性能，但與 15V 柵極驅(qū)動配合使用時也能很好地工作。

產(chǎn)品屬性：

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：650 V

Id-連續(xù)漏極電流：52 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：44 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 8 V, 22 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：4 V

Qg-柵極電荷：55 nC

封裝 / 箱體：D2PAK-7

工作溫度：- 55°C 至 + 175°C

Pd-功率耗散：200 W

通道模式：Enhancement

商標(biāo)：onsemi

配置：Single

下降時間：9 ns

封裝：Reel

封裝：Cut Tape

產(chǎn)品類型：SiC MOSFETS

上升時間：12 ns

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