NTC040N120SC1 1200V EliteSiC（碳化硅）MOSFET與硅器件相比，具有出色的開關(guān)性能和高可靠性。 這些MOSFET具有低導(dǎo)通電阻，可確保低電容和低柵極電荷。1200V EliteSiC MOSFET可實(shí)現(xiàn)的系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)包括提高效率、加快工作頻率、提高功率密度、降低EMI以及減小系統(tǒng)尺寸。

NTC040N120SC1的規(guī)格：

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降時(shí)間：10.4 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值：20 S

Id-連續(xù)漏極電流：60 A

最大工作溫度：+ 175°C

最小工作溫度：- 55°C

安裝風(fēng)格：SMD/SMT

通道數(shù)量：1 Channel

Pd-功率耗散：348 W

產(chǎn)品類型：SiC MOSFETS

Qg-柵極電荷：106 nC

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：56 mOhms

上升時(shí)間：41 ns

系列：NTC040N120SC1

工廠包裝數(shù)量：1

子類別：Transistors

技術(shù)：SiC

商標(biāo)名：EliteSiC

晶體管極性：N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：33 ns

典型接通延遲時(shí)間：18 ns

Vds-漏源極擊穿電壓：1.2 kV

Vgs - 柵極-源極電壓：- 15 V, + 25 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：4.3 V

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