NVB095N65S3F：650V，36A，95mΩ，SUPERFET III  MOSFET 晶體管，D2PAK-3

產(chǎn)品詳情：

型號(hào)：NVB095N65S3F

封裝：D2PAK-3

類型：SUPERFET? III MOSFET 晶體管

應(yīng)用：板載充電器、高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器

NVB095N65S3F 規(guī)格參數(shù)：

系列：SuperFET? III

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：36A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：95 毫歐 @ 18A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：5V @ 860μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：66 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：3020 pF @ 400 V

功率耗散（最大值）：272W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：TO-263（D2PAK）

封裝/外殼：TO-263-3，D2PAK（2 引線 + 凸片），TO-263AB

NVB095N65S3F 產(chǎn)品特性：

同類最佳體二極管

內(nèi)部 Rg

更低的 RDS(ON) / 相同的封裝

更低的 FOM（RDS(ON) max. X Qg typ. X Eoss)

內(nèi)部齊納 / 650V BV dss

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