NVBG110N65S3F：SUPERFET? III MOSFET——高壓超級(jí)結(jié) (SJ) MOSFET晶體管，D2PAK-7

型號(hào)：NVBG110N65S3F

封裝：D2PAK-7

類型：SUPERFET? III MOSFET 晶體管

詳情：

SUPERFET? III MOSFET 是 onsemi 的高壓超級(jí)結(jié) (SJ) MOSFET 系列，采用電荷平衡技術(shù)，具有出色的低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷性能。SUPERFET III MOSFET 非常適合各種電源系統(tǒng)的小型化和高效率要求。SUPERFET III FRFET? MOSFET 優(yōu)化了體二極管的反向恢復(fù)性能，可以去除額外的元件，提高系統(tǒng)可靠性。

NVBG110N65S3F 規(guī)格參數(shù)：

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: D2PAK-7L

晶體管極性: N-通道

通道數(shù)量: 1 通道

Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V

Id-連續(xù)漏極電流: 30 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 110 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: 30 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 5 V

Qg-柵極電荷: 58 nC

最小工作溫度: - 55℃

最大工作溫度: + 150℃

Pd-功率耗散: 240 W

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降時(shí)間: 4.6 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值: 17 S

產(chǎn)品類型: MOSFETs

上升時(shí)間: 23 ns

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 67 ns

典型接通延遲時(shí)間: 31 ns

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