APT50M60L2VRG 是一款高電壓、低導通電阻的 N-溝道增強型功率 MOSFET，采用 TO-264-3 封裝形式。該器件設計用于高功率、高速開關應用，具有較低的導通電阻和出色的熱穩(wěn)定性。

APT50M60L2VRG 特性

高電壓：漏源極擊穿電壓高達 500V。

大電流：連續(xù)漏極電流可達 77A。

低導通電阻：漏源導通電阻僅為 60mΩ。

出色的熱穩(wěn)定性：適用于高功率、高速開關應用。

高可靠性：采用先進的封裝技術和制造工藝，確保在惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠性。

APT50M60L2VRG 參數(shù)

制造商: Microchip

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術: Si

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-264-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 500 V

Id-連續(xù)漏極電流: 77 A

Rds On-漏源導通電阻: 60 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 833 W

應用

APT50M60L2VRG 適用于多種高功率應用，包括但不限于：

電源管理：用于高效能的電源轉換和管理。

DC-DC 轉換器：在 DC-DC 轉換器中實現(xiàn)高效的電壓轉換。

電機控制：用于控制電機的啟動、停止和速度調節(jié)。

逆變器：在逆變器中將直流電轉換為交流電。

工業(yè)自動化系統(tǒng)：用于各種工業(yè)自動化設備中的高功率開關。

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