深圳明佳達電子有限公司 供應 英飛凌 IMT65R057M1H 650V 57mΩ CoolSiC? 碳化硅MOSFET晶體管深圳明佳達電子有限公司作為全球知名的電子元器件分銷商，現(xiàn)貨供應IMT65R057M1H CoolSiC? MOSFET晶體管。憑借卓越的開關性能、出色的可靠性及廣泛的應用適應性，為現(xiàn)代電力電子…
深圳明佳達電子有限公司 供應 英飛凌 IMT65R057M1H 650V 57mΩ CoolSiC? 碳化硅MOSFET晶體管
深圳明佳達電子有限公司作為全球知名的電子元器件分銷商，現(xiàn)貨供應IMT65R057M1H CoolSiC? MOSFET晶體管。憑借卓越的開關性能、出色的可靠性及廣泛的應用適應性，為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)設計開辟全新可能。
【IMT65R057M1H 產品概述】
IMT65R057M1H是英飛凌CoolSiC? MOSFET系列的旗艦產品。采用先進的溝槽半導體工藝制造，優(yōu)化實現(xiàn)最低應用損耗與最高運行可靠性。
這款IMT65R057M1H N溝道碳化硅MOSFET具備650V漏源電壓(Vds)、44A連續(xù)漏極電流(Id)及僅0.057歐姆的導通電阻。其低導通電阻與高電流承載能力可提升系統(tǒng)效率3-5%，顯著延長電動汽車續(xù)航里程。
采用HSOF-8封裝的IMT65R057M1H支持高達175°C的工作溫度，在滿足極端環(huán)境高可靠性要求的同時，簡化了熱管理系統(tǒng)并降低了成本。
【碳化硅技術的優(yōu)勢與創(chuàng)新】
相較于傳統(tǒng)硅基器件，碳化硅材料具有寬禁帶特性，其帶隙寬度約為硅的三倍，臨界電場強度約為硅的十倍。
這使得碳化硅MOSFET能夠采用更薄、摻雜更濃的漂移區(qū)，顯著降低導通電阻。與雙極型IGBT器件不同，碳化硅MOSFET屬于單極型結構，可消除關斷尾電流，其開關損耗較硅基IGBT降低高達80%。
英飛凌CoolSiC MOSFET采用非對稱溝槽柵極結構，充分利用碳化硅晶體的各向異性特性。溝道晶面以特定角度傾斜于垂直軸，最大限度降低界面態(tài)密度與氧化層陷阱，確保溝道載流子遷移率達到峰值。
【IMT65R057M1H可靠性設計與性能特性】
IMT65R057M1H采用英飛凌增強型M1H CoolSiC芯片技術，顯著提升漏源導通電阻，擴展柵源電壓范圍，增強驅動靈活性。
M1H技術進一步擴展柵極耐壓范圍，穩(wěn)態(tài)耐壓值為-7V至20V，瞬態(tài)耐壓值為-10V至23V。推薦導通電壓為15-18V，關斷電壓范圍為-5V至0V。
該MOSFET具備高閾值電壓（約4.5V）特性，超越眾多競品，同時擁有極低的米勒電容。此高閾值電壓可有效抑制寄生導通現(xiàn)象，提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。
【IMT65R057M1H 封裝與熱性能】
IMT65R057M1H 采用 HSOF-8 封裝（亦稱 PG-HSOF-8），該表面貼裝封裝適用于高功率密度應用。
該器件具備卓越的熱性能，支持最高175°C結溫，從而進一步提升功率密度。其強健的熱特性確保在高溫及惡劣工況下穩(wěn)定運行。
【IMT65R057M1H應用領域】
IMT65R057M1H碳化硅MOSFET廣泛應用于多個高性能領域，作為提升系統(tǒng)效率的關鍵組件。
在新能源汽車領域，該器件適用于主驅動逆變器、車載充電機（OBC）及DC-DC轉換器。其高頻開關特性與低損耗優(yōu)勢可提升系統(tǒng)效率、降低能量損耗并延長續(xù)航里程。
在可再生能源領域，該MOSFET應用于光伏逆變器及儲能系統(tǒng)。CoolSiC? MOSFET憑借高頻開關與低損耗特性，可提升太陽能轉換效率，使系統(tǒng)效率突破99%。
此外，IMT65R057M1H還適用于工業(yè)電源、服務器電源、通信設備及不間斷電源（UPS）等領域。在這些應用場景中，該器件既能降低系統(tǒng)散熱需求，又能提升功率密度。
電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務時間：9:00-18:00
聯(lián)系郵箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址：廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權歸明佳達電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接:
最新資訊
