最新資訊英飛凌科技CoolGan? 600V增強(qiáng)模式 (e-Mode) 功率晶體管可實(shí)現(xiàn)更簡單的半橋拓?fù)?，具有快速?dǎo)通和關(guān)斷速度。該晶體管具有高效率、高功率密度、更高的工作頻率能力和更低的EMI。
深圳市明佳達(dá)電子有限公司供應(yīng)和回收CoolGan? 600V功率晶體管《IGT60R190D1SATMA1》具有極高的效率和可靠性
介紹
英飛凌科技CoolGan? 600V增強(qiáng)模式 (e-Mode) 功率晶體管可實(shí)現(xiàn)更簡單的半橋拓?fù)?，具有快速?dǎo)通和關(guān)斷速度。該晶體管具有高效率、高功率密度、更高的工作頻率能力和更低的EMI。應(yīng)用包括電信/數(shù)據(jù)通信/服務(wù)器SMPS、無線充電、充電器和適配器。
技術(shù)參數(shù)
系列： CoolGaN?
FET 類型： N 通道
技術(shù)： GaNFET（氮化鎵）
漏源電壓（Vdss）： 600 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：12.5A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： -
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）： -
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）： 1，6V @ 960μA
Vgs（最大值）： -10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）： 157 pF @ 400 V
FET 功能： -
功率耗散（最大值）： 55，5W（Tc）
工作溫度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝：PG-HSOF-8-3
封裝/外殼： 8-PowerSFN
基本產(chǎn)品編號(hào)： IGT60R190
特性
增強(qiáng)模式晶體管，常關(guān)型開關(guān)
超快開關(guān)速度
無反向恢復(fù)電荷
能夠反向?qū)?/span>
低柵極電荷、低輸出電荷
出色的換向耐受性
提高系統(tǒng)效率
提高功率密度
支持更高工作頻率
系統(tǒng)成本降低
降低EMI
符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)（JESD47和JESD22），適用于工業(yè)應(yīng)用
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