IGT60R190D1SATMA1-CoolGaN?氮化鎵HEMT具有諸多優(yōu)勢，包括超高效率、可靠性、功率密度以及相對于硅的極高質(zhì)量。CoolGaN晶體管采用極為可靠的技術(shù)，設(shè)計用于實現(xiàn)開關(guān)模式電源中的超高效率和功率密度。

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): GaN

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: HSOF-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V

Id-連續(xù)漏極電流: 12.5 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 190 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, + 10 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 900 mV

Qg-柵極電荷: 3.2 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 55.5 W

通道模式: Enhancement

商標名: CoolGaN

配置: Single

下降時間: 12 ns

產(chǎn)品: CoolGaN

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 5 ns

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間: 12 ns

典型接通延遲時間: 11 ns

單位重量: 745 mg

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