明佳達回收Microchip無線模塊 ATWINC3400-MR210CA143 藍牙 v5.0 RF 收發(fā)器模塊 2.4GHz 集成式，芯片 表面貼裝型產(chǎn)品詳情Microchip 的 ATWINC3400-MR210CA143 是一款 IEEE 802.11 b/g/n 加藍牙 5 核心規(guī)范的物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 網(wǎng)絡控制器模塊。它是現(xiàn)有微控制器 (MCU) 解決方案…
深圳市明佳達電子有限公司是一家全球知名品牌電子元器件回收商，長期以高價現(xiàn)金回收個人庫存、工廠庫存、海關扣押、寄售、代銷、清倉等深度垂直服務，公司憑借雄厚的經(jīng)濟實力和良好的商業(yè)信譽，迅速在世界各地贏得了眾多工廠客戶的信賴，建立了長期合作關系。我們以努力處…
深圳市明佳達電子有限公司是一家全球知名品牌的電子元器件授權獨立分銷商，公司1996年在深圳成立，并陸續(xù)在香港、日本、俄羅斯、臺灣設立分支機構。公司已獲得ISO9001:2014 國際質量標準認證和ISO14001:2014環(huán)境管理標準認證。我們擁有一支銷售、研發(fā)、管理經(jīng)驗豐富的團隊…
產(chǎn)品詳情：ADPA7009-2ACEZ 是一款砷化鎵 (GaAs) 假晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT) 微波單片集成電路 (2) MMIC dBm 飽和輸出功率0.5 W功率放大器，具有集成的溫度補償片內功率檢測器，工作頻率范圍為 20 GHz 到 54 GHz。該放大器提供 17.5 dB 的增益， 1 dB 的壓縮 (OP1dB)…
產(chǎn)品概述Quectel EC25 是一系列 LTE Cat 4 模塊，專門針對 M2M 和 IoT 應用進行了優(yōu)化。它采用 3GPP Rel-11 LTE 技術，下行鏈路最高數(shù)據(jù)傳輸速率可達 150 Mbps，上行鏈路最高數(shù)據(jù)傳輸速率可達 50 Mbps。EC25 系列采用緊湊統(tǒng)一的外形設計，兼容移遠多模 LTE 標準 EC21 系列…
概述DP83TC811SWRNDRQ1器件是符合 IEEE 802.3bw 標準的汽車 PHYTER? 以太網(wǎng)物理層收發(fā)器。它提供通過非屏蔽單雙絞線收發(fā)數(shù)據(jù)所需的所有物理層功能。該器件具有 xMII 靈活性，支持標準 MII、RMII、RGMII 和 SGMII MAC 接口。該器件包含診斷工具包，提供大量實時監(jiān)控工具、…
明佳達電子進口原裝供應存儲IC S25FL128SAGMFI000 128Mb 3V 133MHz 串行 NOR 閃存，質量保證，價格優(yōu)勢，歡迎致電！器件概述S25FL128SAGMFI000 NOR 閃存器件是一款 2.7V 至 3.6V / 1.65V 至 3.6V VIO 伏特非易失性存儲器，采用 65 納米 MIRRORBIT? 技術。128-Mb S25FL12…
深圳市明佳達電子有限公司全新原裝（分銷Micron）NOR閃存 MT25QL128ABA8ESF-0SIT SPI 串行閃存 SLC 32MX4 SOIC概述MT25QL128ABA8ESF-0SIT是一款128Mbit 并行NOR閃存器件，采用 16-SOIC 引腳封裝。該閃存具有較高的密度、就地執(zhí)行 (XiP) 性能和架構靈活性，可滿足汽車、消…
深圳市明佳達電子有限公司是一家全球知名品牌電子元器件回收商，長期以高價現(xiàn)金回收個人庫存、工廠庫存、海關扣押、寄售、代銷、清倉等深度垂直服務，公司憑借雄厚的經(jīng)濟實力和良好的商業(yè)信譽，迅速在世界各地贏得了眾多工廠客戶的信賴，建立了長期合作關系。我們以努力處…
深圳市明佳達電子有限公司是一家全球知名品牌的電子元器件授權獨立分銷商，公司1996年在深圳成立，并陸續(xù)在香港、日本、俄羅斯、臺灣設立分支機構。公司已獲得ISO9001:2014 國際質量標準認證和ISO14001:2014環(huán)境管理標準認證。我們擁有一支銷售、研發(fā)、管理經(jīng)驗豐富的團隊…
產(chǎn)品概述：SKY12242-492LF是一款緊湊型、集成式高功率單刀雙擲（SPDT）開關，具有用于TD-LTE應用的驅動電路。該器件采用+5 V單電源供電，單控制電壓（0至3 V）開關。該器件具有低Tx和Rx插入損耗、高隔離度、低直流功耗等特性，只需極少的外部元件，可實現(xiàn)更小的PCB印刷面…
產(chǎn)品詳情：Mera-533+是一款具有高動態(tài)范圍的雙通道匹配寬帶放大器。它具有從批次到批次的可重復性能。它封裝在3.25 X 3.25 mm MCLP塑料封裝中。Mera-533+采用達林頓結構，并使用InGaP HBT技術制造。整個器件（A1和A2）在85C外殼溫度下的預期MTBF為420年。產(chǎn)品特性：?一個…
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