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三星豪擲約5萬(wàn)億韓元擴(kuò)產(chǎn)4nm芯片

三星強(qiáng)攻晶圓代工先進(jìn)制程，繼6月底宣布3nm領(lǐng)先業(yè)界量產(chǎn)后，4nm在良率顯著提升下，正著手?jǐn)U產(chǎn)，預(yù)計(jì)今年第4季每月新增上看2萬(wàn)片產(chǎn)能，并規(guī)劃在4nm豪擲約5萬(wàn)億韓元投資。

來(lái)源：本站時(shí)間：2022-08-22 所屬欄目：行業(yè)資訊
高通正計(jì)劃重返服務(wù)器市場(chǎng)

高通（Qualcomm）正計(jì)劃再次進(jìn)軍服務(wù)器處理器市場(chǎng)，減少對(duì)智能手機(jī)的依賴，挑戰(zhàn)英特爾（Intel）。

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臺(tái)積電宣布9月量產(chǎn)3nm芯片，蘋果搶首發(fā)頭彩

為了不重蹈”AMD搶食Intel CPU事件“，晶圓代工巨頭臺(tái)積電3nm N3制程在完成技術(shù)研發(fā)及試產(chǎn)后將迅速于今年9月進(jìn)入量產(chǎn)。預(yù)計(jì)第三季下旬投片量開始大幅拉升，第四季月投片量將達(dá)上千片水準(zhǔn)，開始進(jìn)入量產(chǎn)階段。設(shè)備業(yè)者指出，以臺(tái)積電N3制程試產(chǎn)情況來(lái)看，預(yù)期9月進(jìn)入量產(chǎn)后…

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收購(gòu)英飛凌產(chǎn)品 IMZ120R140M1HXKSA1 1200V溝槽式碳化硅MOSFET

深圳市明佳達(dá)電子有限公司是一家全球知名品牌電子元器件回收商，長(zhǎng)期以高價(jià)現(xiàn)金回收個(gè)人庫(kù)存、工廠庫(kù)存、海關(guān)扣押、寄售、代銷、清倉(cāng)等深度垂直服務(wù)，公司憑借雄厚的經(jīng)濟(jì)實(shí)力和良好的商業(yè)信譽(yù)，迅速在世界各地贏得了眾多工廠客戶的信賴，建立了長(zhǎng)期合作關(guān)系。我們以努力處…

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英飛凌碳化硅MOSFET IMZ120R140M1H TO-247-4封裝的1200V CoolSiC

深圳明佳達(dá)電子公司全新原裝出售英飛凌碳化硅MOSFET IMZ120R140M1H、IMZ120R140M1HXKSA1 TO-247-4封裝的1200V CoolSiC，聯(lián)系qq：1668527835，電話：13410018555，郵箱：chen13410018555@163.com，公司首頁(yè)：www.pptls.cn

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供求TO247-3封裝 IMW120R007M1H、IMW120R007M1HXKSA1溝槽型碳化硅MOSFET

明佳達(dá)公司供求英飛凌 IMW120R007M1H、IMW120R007M1HXKSA1，采用 TO247-3 封裝的 CoolSiC? 1200 V、7 mΩ SiC 溝槽 MOSFET。

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供應(yīng)和回收晶體管 IMW120R040M1H/IMW120R040M1HXKSA1 1200V 40mΩ CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET

明佳達(dá)供應(yīng)和回收晶體管 IMW120R040M1H/IMW120R040M1HXKSA1 1200V 40mΩ CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET，采用TO247-3封裝的1200V 40mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先進(jìn)的溝槽工藝，該工藝經(jīng)過(guò)優(yōu)化兼具性能與可靠性。

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進(jìn)口原裝 IMBG120R090M1HXTMA1 1200V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET

明佳達(dá)電子供求進(jìn)口原裝 IMBG120R090M1HXTMA1 1200V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET，只要原裝正品，如代理商、貿(mào)易商、終端工廠等，散新翻新均不考慮，有滿足以上需求歡迎聯(lián)系我們陳先生QQ1668527835 手機(jī)13410018555！

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出售碳化硅 CoolSiC? MOSFETs IMBG120R090M1H 1200V溝槽型

深圳明佳達(dá)電子公司出售碳化硅 CoolSiC? MOSFETs IMBG120R090M1H 1200V溝槽型，只做原裝，大量工廠庫(kù)存，價(jià)格可詳談，歡迎聯(lián)系陳先生qq1668527835，電話13410018555！該器件型號(hào)是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封裝的1200 V, 90 mΩ CoolSiC? SiC MOSFET，它基于先進(jìn)的溝槽工…

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回收英飛凌CoolSiC MOSFET《IMBG65R039M1HXTMA1/IMBG65R039M1H》

深圳市明佳達(dá)電子有限公司是一家全球知名品牌電子元器件回收商，長(zhǎng)期以高價(jià)現(xiàn)金回收個(gè)人庫(kù)存、工廠庫(kù)存、海關(guān)扣押、寄售、代銷、清倉(cāng)等深度垂直服務(wù)，長(zhǎng)期高價(jià)收購(gòu)英飛凌CoolSiC MOSFET《IMBG65R039M1HXTMA1/IMBG65R039M1H》碳化硅 MOSFET 單管。

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供應(yīng)碳化硅 MOSFET 晶體管 IMBG65R039M1H 650V SiC MOSFET

明佳達(dá)全新原裝供應(yīng)碳化硅 MOSFET 晶體管 IMBG65R039M1H 650V SiC MOSFET，采用緊湊型 7 引腳 SMD 封裝，基于先進(jìn)的英飛凌碳化硅溝槽技術(shù)，適于大功率應(yīng)用。

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WiFi 市場(chǎng)和應(yīng)用：新的 WiFi 6E 和 WiFi 7 標(biāo)準(zhǔn)

本文將討論 WiFi 市場(chǎng)和應(yīng)用，特別關(guān)注新的 WiFi 6E 和 WiFi 7 標(biāo)準(zhǔn)。

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