NXH350N100H4Q2F2S1G是一款功率集成模塊（PIM），包含一個I型NPC級，100A/1200V EliteSiC二極管用于中點鉗位，350A/1000V IGBT用于外部IGBT，400A/1000V IGBT用于內(nèi)部IGBT，用于IGBT的反向二極管的開關(guān)電流為170 A，另外包含一個板載式熱敏電阻。NXH350N100H4Q2F2S1G采用場截止技術(shù)的極高效溝道，低開關(guān)損耗降低了系統(tǒng)功耗，模塊設(shè)計提供高功率密度，低電感布局，封裝高度低，NXH350N100H4Q2F2S1G器件無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑，符合 RoHS 規(guī)范標準。

產(chǎn)品屬性

IGBT 類型：溝槽型場截止

配置：三級反相器

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1000 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：303 A

功率 - 最大值：276 W

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，375A

電流 - 集電極截止（最大值）：1 mA

不同 Vce 時輸入電容 (Cies)：24.146 nF @ 20 V

輸入：標準

NTC 熱敏電阻：是

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：模塊

供應商器件封裝：42-PIM/Q2PACK（93x47）

應用

? 太陽能逆變器

? 不間斷電源系統(tǒng)

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