商品名稱:SRAM 存儲(chǔ)器
品牌:Renesas
年份:25+
封裝:TSOP-48
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1500 件
RMLV1616AGSA-4U2是一款16Mb、超低功耗SRAM(超LP SRAM)器件,由Renesas公司推出,它能夠?yàn)楣S自動(dòng)化(FA)、工業(yè)設(shè)備、智能電網(wǎng)等應(yīng)用提供更出色的可靠性并延長(zhǎng)備用電池的使用壽命。
核心參數(shù)
存儲(chǔ)器類型:易失
存儲(chǔ)器格式:SRAM
技術(shù):SRAM - 異步
存儲(chǔ)容量:16Mb
存儲(chǔ)器組織:1M x 16,2M x 8
存儲(chǔ)器接口:并聯(lián)
寫周期時(shí)間 - 字,頁(yè):45ns
訪問時(shí)間:45 ns
電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V
工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:48-TSOP
性能特點(diǎn)
RMLV1616AGSA-4U2采用瑞薩獨(dú)有的超LP SRAM技術(shù),大幅提升了抗軟失效能力,實(shí)現(xiàn)了更良好的可靠性。在瑞薩超LP SRAM的結(jié)構(gòu)方面,存儲(chǔ)單元中的每個(gè)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)都結(jié)合了堆疊電容技術(shù),從根本上預(yù)防了軟失效的出現(xiàn)。此外,每個(gè)SRAM單元的負(fù)載晶體管(P溝道)為多晶硅薄膜晶體管(TFT),堆疊于硅基板的N溝道MOS晶體管之上。在硅基板下方僅形成N溝道晶體管,這樣可確保存儲(chǔ)區(qū)內(nèi)不形成寄生晶閘管,并從理論上杜絕閂鎖效應(yīng)。因此,對(duì)于需要嚴(yán)格保證高水平可靠性的應(yīng)用環(huán)境(如:工廠自動(dòng)化、測(cè)量設(shè)備、智能電網(wǎng)相關(guān)設(shè)備、交通系統(tǒng)、工業(yè)設(shè)備等)而言,RMLV1616AGSA-4U2超LP SRAM可謂理想之選。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
100-TQFP
2000
ИМС 18-Мбит синхронной памяти SRAM с проточным управлением
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瑞薩科技是世界十大半導(dǎo)體芯片供應(yīng)商之一,在很多諸如移動(dòng)通信、汽車電子和PC/AV 等領(lǐng)域獲得了全球最高市場(chǎng)份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立,以領(lǐng)先的科技實(shí)現(xiàn)人類的夢(mèng)想。結(jié)合了日立與三菱電機(jī)在半導(dǎo)體領(lǐng)域上的豐富經(jīng)驗(yàn)和專業(yè)知識(shí),配合全球二萬(wàn)七千名員工的無(wú)限創(chuàng)…
R5F52616ADFL
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R9A09G087M24GBG是Renesas提出的搭載工業(yè)以太網(wǎng)、提供高性能應(yīng)用處理和實(shí)時(shí)操作的高端MPU,屬于RZ/N2H系列,專為工業(yè)控制領(lǐng)域設(shè)計(jì),支持實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)與復(fù)雜網(wǎng)絡(luò)功能。以下是其主要特點(diǎn):CPU:Arm Quad Cortex-A55 x 4,最高工作頻率 1200MHzCPU:Arm Dual Cortex-R52,最…R9A09G087M04GBG
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