商品名稱:SRAM 存儲器
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:FBGA-165
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
CY7C2644KV18-333BZXI 是 1.8 V 同步流水線 SRAM,采用 QDR II+ 架構。
CY7C2644KV18-333BZXI 的特性
獨立的讀寫數(shù)據(jù)端口
支持并發(fā)事務
250 MHz 高帶寬時鐘
雙字突發(fā)可降低地址總線頻率
讀寫端口上的雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 接口(數(shù)據(jù)傳輸速率為 500 MHz),頻率為 250 MHz
提供 2.0 個時鐘周期的延遲
兩個輸入時鐘,用于精確的 DDR 時序
SRAM 僅使用上升沿
回波時鐘簡化了高速系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)捕獲
數(shù)據(jù)有效引腳 (QVLD) 在輸出端指示有效數(shù)據(jù)
片上終止 (ODT) 功能
單多路復用地址輸入總線鎖存讀寫端口的地址輸入
用于深度擴展的獨立端口選擇
當 DOFF 為高電平時,四倍數(shù)據(jù)速率 II+ 的讀取延遲為 2.0 個周期
操作類似于 QDR I 器件,當 DOFF 為低電平時,讀取延遲為一個周期
核心 VDD = 1.8 V± 0.1 V;I/O VDDQ = 1.4 V 至 VDD
支持 1.5 V 和 1.8 V I/O 電源
高速收發(fā)器邏輯 (HSTL) 輸入和可變驅動 HSTL 輸出緩沖器
以 165 球 CCGA(21 × 25 × 2.83 毫米)提供
兼容 JTAG 1149.1 的測試訪問端口
鎖相環(huán) (PLL),用于準確放置數(shù)據(jù)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
100-TQFP
2000
ИМС 18-Мбит синхронной памяти SRAM с проточным управлением
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