商品名稱：ISL9V3040P3-F085C
數(shù)據(jù)手冊：
ISL9V3040P3-F085C.PDF
品牌：ON
年份：23+
封裝：TO-220-3
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
ISL9V3040P3-F085C特點
? TJ = 25°C 時 SCIS 能量 = 300 mJ
? 邏輯級柵極驅動
? 通過 AEC-Q101 認證并可執(zhí)行 PPAP
? 這些器件無鉛，符合 RoHS 規(guī)范
產(chǎn)品屬性
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：430 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：21 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：1.6V @ 4V，6A
功率 - 最大值：150 W
開關能量：-
輸入類型：邏輯
柵極電荷：17 nC
25°C 時 Td（開/關）值：-/4.8μs
測試條件：-
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3
供應商器件封裝：TO-220-3
應用
? 汽車點火線圈驅動器電路
? 高電流點火系統(tǒng)
? 插頭線圈應用
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝，具有超…
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UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢：86-755-83294757
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