NVMFS2D3P04M8L 器件是一款由（onsemi）生產(chǎn)的功率MOSFET ，屬于P溝道類型，采用 DFN5 封裝，具有-40 V的漏源電壓和-222 A的連續(xù)漏極電流??。該器件的導(dǎo)通電阻為2.2mΩ，工作溫度范圍為-55℃至+175℃，適用于汽車電子。

關(guān)鍵規(guī)格

FET 類型：P 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：31A（Ta），222A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：2.2 毫歐 @ 30A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 2.7mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：157 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：5985 pF @ 20 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），205W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等級(jí)：汽車級(jí)

資質(zhì)：AEC-Q101

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：5-DFN（5x6）（8-SOFL）

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