NVMFS5113PLWFT1G 汽車功率 MOSFET 采用 5x6mm 扁平引線封裝，專為緊湊型高效設(shè)計而設(shè)計，具有高散熱性能。提供用于增強(qiáng)光學(xué)檢測的可潤濕側(cè)翼選件。通過 AEC-Q101 認(rèn)證的 MOSFET，具有 PPAP 能力，適合汽車應(yīng)用。

技術(shù)規(guī)格

FET 類型： P 通道  

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 60 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：10A（Ta），64A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： 14 毫歐 @ 17A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 2.5V @ 250μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 83 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 4400 pF @ 25 V  

功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），150W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

等級： 汽車級  

資質(zhì)：AEC-Q101  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）  

封裝/外殼： 8-PowerTDFN，5 引線 

應(yīng)用

電源

電磁驅(qū)動器

負(fù)載開關(guān)

電機(jī)驅(qū)動器

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