STB120NF10T4是意法半導(dǎo)體推出的 N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，屬于 STripFET? II 系列，采用 TO-263-3（D2PAK）封裝，適用于高電流、高耐壓 應(yīng)用場景。該器件具有 低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度，廣泛應(yīng)用于 電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)控制等領(lǐng)域。

STB120NF10T4產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3)

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V

Id-連續(xù)漏極電流: 110 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 10.5 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 172 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 312 W

通道模式: Enhancement

STB120NF10T4 主要特性

低導(dǎo)通電阻：10.5mΩ @ 60A, 10V，減少導(dǎo)通損耗，提高效率。

高電流承載能力：110A 連續(xù)電流，適用于大功率開關(guān)應(yīng)用。

快速開關(guān)性能：上升時(shí)間 90ns，下降時(shí)間 68ns，優(yōu)化 PWM 控制效率。

工業(yè)級(jí)可靠性：100% 雪崩測試，確保器件在高壓瞬態(tài)下的穩(wěn)定性。

符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，無鉛封裝，適用于環(huán)保要求嚴(yán)格的場景。

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