商品名稱：N 溝道功率MOSFET晶體管
品牌：INFINEON
年份：24+
封裝：PG-WHSON-8
貨期：全新原裝
庫存數量：2000 件
IQE008N03LM5SC 屬于 Source-Down 系列，RDS(on) 為 0.85 mOhm。Source-Down 技術采用翻轉硅芯片，在元件內部倒置。
它提高了散熱能力，改善了功率密度和布局可能性。雙面冷卻封裝的耗散功率是過模封裝的三倍，并提供標準和中心柵基底面。
IQE008N03LM5SC 的特點
RDS(on) 大幅降低達 30
與 PQFN 封裝相比，改善了 RthJC
標準和中心柵基底面
新的優(yōu)化布局可能性
IQE008N03LM5SC 的優(yōu)勢
高功率密度和高性能
優(yōu)異的熱性能
高效布局，節(jié)省空間
簡化 MOSFET 并行化
改善 PCB 損耗
減少寄生
IQE008N03LM5SC 的應用
驅動
SMPS
服務器
電信
電池管理
型號
品牌
封裝
數量
描述
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IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側和低壓側柵極驅動器 IC，具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流，采用 8 引線 SOIC 封裝，適用于 IGBT 和 MOSFET。
BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側電源開關，采用 SIPMOS 技術 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET，適用于 12V 和 24V 接地負載 的電源管理應用。電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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