CY7S1049GE30-10VXI 是一款高性能 PowerSnooze? 靜態(tài) RAM，組織形式為 512K 字 × 8 位。該器件具有快速存取時間（10 ns）和獨特的超低功耗深度休眠模式。CY7S1049GE30-10VXI 器件的深度休眠模式電流低至 15 μA，在行業(yè)標準封裝選項中結合了快速和低功耗 SRAM 的最佳特性。該器件還具有嵌入式 ECC 邏輯，可檢測和糾正訪問位置中的單位錯誤。

CY7S1049GE30-10VXI 的特點

高速

訪問時間 (tAA) = 10 ns / 15 ns

超低功耗深度休眠 (DS) 電流

IDS = 15 μA

低活動和待機電流

活動電流 ICC = 38-mA 典型值

待機電流 ISB2 = 6 mA（典型值

寬工作電壓范圍： 1.65 V 至 2.2 V、2.2 V 至 3.6 V、4.5 V 至 5.5 V

嵌入式 ECC，用于單位糾錯

錯誤指示 (ERR) 引腳用于指示 1 位錯誤檢測和糾正

1.0 V 數(shù)據(jù)保持

TTL 兼容輸入和輸出

采用無鉛 44 引腳 TSOP II 和 36 引腳（400 密耳）模制 SOJ 封裝

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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