CY62167EV30LL-45BVI 是一款高性能 CMOS 靜態(tài) RAM，可按 100 萬字 16 位或 200 萬字 8 位組織。該器件采用先進(jìn)的電路設(shè)計，具有超低有功電流。超低有功電流非常適合在蜂窩電話等便攜式應(yīng)用中提供更長的電池壽命? (MoBL?)。

CY62167EV30LL-45BVI 的特性

TSOP I 封裝，可配置為 1M × 16 或 2M × 8 SRAM

超高速：45 毫微秒

溫度范圍

汽車-A：-40 °C 至 +85 °C

寬電壓范圍：2.20 V 至 3.60 V

超低待機(jī)功耗

典型待機(jī)電流：1.5 ?A

最大待機(jī)電流：12 ?A

超低有功功率

典型有功電流：f = 1 MHz 時為 2.2 mA

利用 CE1、CE2 和 OE 功能輕松擴(kuò)展存儲器

取消選擇時自動斷電

CMOS 實現(xiàn)最佳速度和功耗

采用無鉛 48 球 VFBGA 和 48 引腳 TSOP I 封裝

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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