DIF065SIC020器件是一款650 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管，具有禁帶寬度寬、臨界擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和漂移速度高及抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)?。由于SiC材料的優(yōu)勢(shì)，DIF065SIC020非常適合于高溫、高壓、高頻、大功率等應(yīng)用場(chǎng)景。它特別適用于需要高效能、高可靠性的工業(yè)設(shè)備和汽車電子系統(tǒng)?。

技術(shù)參數(shù)

封裝 / 箱體：TO-247-4

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：650 V

Id-連續(xù)漏極電流：150 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：20 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 5 V, + 18 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：4 V

Qg-柵極電荷：236 nC

最小工作溫度：- 55 C

最大工作溫度：+ 175 C

Pd-功率耗散：550 W

通道模式：Enhancement

商標(biāo)名：DIF065SIC020

配置：Single

下降時(shí)間：27 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值：42 S

產(chǎn)品類型：SiC MOSFETS

上升時(shí)間：136 ns

晶體管類型：1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：63 ns

典型接通延遲時(shí)間：25 ns

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