G2R1000MT33J器件是一款3300 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管，其低導通電阻為1000mΩ，有助于減少能量損耗，提高系統(tǒng)效率。

基本參數

漏源電壓（Vdss）?：3300V

?連續(xù)漏極電流（Id）?：4A（在25°C時）

?驅動電壓（Vgs）?：最大±20V

?導通電阻（RdsOn）?：1000mΩ

?功率耗散（Ptot）?：74W（Tc）

?工作溫度范圍?：-55°C ~ 175°C（TJ）

?封裝形式?：TO-263-7?

G2R1000MT33J適用于多種高功率應用場景，包括但不限于：

輔助電源供應?

1500V太陽能逆變器系統(tǒng)?

工業(yè)電機（交流伺服）?

DC/DC轉換器?

不間斷電源（UPS）系統(tǒng)?

電力電子轉換器??

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