SCT025H120G3-7器件是一款1200 V 碳化硅功率MOSFET，采用（ST）先進(jìn)的SiC MOSFET技術(shù)開(kāi)發(fā)而成。SCT025H120G3-7具有極低的RDS(on)、低電容和極高的開(kāi)關(guān)操作性能，適用于高頻、高效、系統(tǒng)尺寸和重量減輕的應(yīng)用場(chǎng)景??。

技術(shù)規(guī)格

產(chǎn)品：SCT025H120G3-7

封裝 / 箱體：H2PAK-7

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：1.2 kV

Id-連續(xù)漏極電流：55 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：37 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 10 V, + 22 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：3 V

Qg-柵極電荷：73 nC

最小工作溫度：- 55 C

最大工作溫度：+ 175 C

Pd-功率耗散：375 W

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降時(shí)間：25 ns

封裝：Reel

封裝：Cut Tape

產(chǎn)品類型：SiC MOSFETS

上升時(shí)間：27 ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：48 ns

典型接通延遲時(shí)間：23 ns

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