IMT65R010M2H是英飛凌科技推出的CoolSiC? MOSFET第二代產(chǎn)品（G2），采用TOLL封裝，額定電壓650V，導(dǎo)通電阻10mΩ?。該產(chǎn)品通過改進(jìn)熱循環(huán)性能和.xt互連技術(shù)，顯著降低了熱阻，適合在高效率、緊湊型系統(tǒng)中充分發(fā)揮碳化硅材料的優(yōu)勢?。

IMT65R010M2H 規(guī)格

封裝 / 箱體：HSOF-8

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：650 V

Id-連續(xù)漏極電流：168 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：13.1 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 7V, + 23 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：4.5 V

Qg-柵極電荷：113 nC

工作溫度：- 55°C 至 + 175°C

Pd-功率耗散：681 W

通道模式：Enhancement

商標(biāo)名：CoolSiC

商標(biāo)：Infineon Technologies

配置：Single

下降時(shí)間：9.4 ns

上升時(shí)間：24 ns

系列：650V G2

晶體管類型：1 N-Channel

類型：SiC MOSFET

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：30 ns

典型接通延遲時(shí)間：16 ns

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