BSC010N04LST是采用 SuperSO8 封裝的 OptiMOS? 5 功率 MOSFET 彰顯出先進(jìn)的技術(shù)，封裝的工作溫度也隨之改善。新型組合提高了功率密度以及堅(jiān)固性。

與額定值較低的設(shè)備相比，175°C TJ_MAX 的功率更高，能夠在更高的結(jié)溫下工作，或在同等結(jié)溫下具有較長的使用壽命。而且，安全工作區(qū)（SOA）也擴(kuò)大了20%。這款新型封裝更加適合通信、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和服務(wù)器之類的應(yīng)用。

BSC010N04LST 特征描述

低 RDS(on)

針對同步整流進(jìn)行優(yōu)化

采用SuperSO8封裝，工作溫度提高到175°C

BSC010N04LST 產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 100 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V

Qg-柵極電荷: 133 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 139 W

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降時(shí)間: 9 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值: 140 S

上升時(shí)間: 12 ns

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 46 ns

典型接通延遲時(shí)間: 10 ns

BSC010N04LST 潛在應(yīng)用

電機(jī)驅(qū)動(dòng)

服務(wù)器

通信

• 1.平臺上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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