SCT3040KW7TL 1200V 碳化硅 (SiC) MOSFET器件在開關(guān)期間不會(huì)產(chǎn)生尾電流，因此動(dòng)作更快，開關(guān)損耗更低。它們的低導(dǎo)通電阻和緊湊的芯片尺寸確保了低電容和柵極電荷。應(yīng)用包括太陽(yáng)能逆變器、DC/DC轉(zhuǎn)換器、開關(guān)模式電源、感應(yīng)加熱和電機(jī)驅(qū)動(dòng)。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：56A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：52 毫歐 @ 20A，18V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 10mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：107 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+22V，-4V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：1337 pF @ 800 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：267W

工作溫度：175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：TO-263-7

封裝/外殼：TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA

基本產(chǎn)品編號(hào)：SCT3040

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