SCTW40N120G2VAG 1200V 汽車級碳化硅功率MOSFET采用 ST先進的創(chuàng)新第二/第三代碳化硅MOSFET技術開發(fā)而成。該器件具有低單位面積導通電阻和良好的 開關性能。應用包括主逆變器(電力牽引)、用于EV/HEV的直流/直流轉換器和車載充電器(OBC)。

產品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：33A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：105毫歐 @ 20A，18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：63 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+22V，-10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1230 pF @ 800 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：290W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 200°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：HiP247?

封裝/外殼：TO-247-3

基本產品編號：SCTW40

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