SCT2080KEGC11是1200V、80mΩ的N溝道碳化硅功率MOSFET晶體管。

規(guī)格

制造商:ROHM Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

技術(shù):SiC

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-247N-3

晶體管極性:N-Channel

通道數(shù)量:1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:1.2 kV

Id-連續(xù)漏極電流:40 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:80 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:- 6 V, + 22 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V

Qg-柵極電荷:106 nC

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:262 W

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:22 ns

上升時間:36 ns

工廠包裝數(shù)量:  30

典型關(guān)閉延遲時間:76 ns

典型接通延遲時間:35 ns

零件號別名:SCT2080KE

應(yīng)用

開關(guān)電源

太陽能逆變器

UPS

電動車車載充電器

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