650V SCTW35N65G2V 碳化硅功率MOSFET器件是采用ST半導體先進創(chuàng)新的第二代SiC MOSFET技術開發(fā)的。該器件具有非常低的單位面積導通電阻和非常好的開關性能。開關損耗的變化幾乎與結溫無關。

產品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：45A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V，20V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：67毫歐 @ 20A，20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：73 nC @ 20 V

Vgs（最大值）：+22V，-10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1370 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：240W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 200°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：HiP247?

封裝/外殼：TO-247-3

基本產品編號：SCTW35

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