SCT3160KLGC11是1200V 17A的Nch SiC功率MOSFET。

規(guī)格

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： SiCFET（碳化硅）  

漏源電壓（Vdss）： 1200 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：17A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 18V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 208 毫歐 @ 5A，18V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 5.6V @ 2.5mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 42 nC @ 18 V  

Vgs（最大值）： +22V，-4V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 398 pF @ 800 V  

FET 功能： -  

功率耗散（最大值）： 103W（Tc）  

工作溫度： 175°C（TJ）  

安裝類型： 通孔  

供應(yīng)商器件封裝： TO-247N  

封裝/外殼： TO-247-3  

基本產(chǎn)品編號：SCT3160

應(yīng)用

太陽能逆變器

直流/直流轉(zhuǎn)換器

開關(guān)模式電源

感應(yīng)加熱

電機驅(qū)動

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