SCT3040KRC14 N-通道 SiC（碳化硅）功率MOSFET。

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù):SiC

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-247-4

晶體管極性:N-Channel

通道數(shù)量:1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:1.2 kV

Id-連續(xù)漏極電流:55 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:40 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:- 4 V, + 22 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:5.6 V

Qg-柵極電荷:107 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:262 W

通道模式:Enhancement

系列:SCT3x

配置:Single

下降時間:19 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值:8.3 S

上升時間:19 ns

晶體管類型:1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間:29 ns

典型接通延遲時間:6 ns

零件號別名:SCT3040KR

單位重量:6 g

產(chǎn)品應(yīng)用

太陽能逆變器

直流/直流轉(zhuǎn)換器

開關(guān)模式電源

感應(yīng)加熱

電機驅(qū)動

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