商品名稱：N-通道功率MOSFET
品牌：INFINEON
年份：24+
封裝：PG-WHTFN-9
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1680 件
功率 MOSFET IQD016N08NM5CGSC 具有 1.57 mOhm 的低 RDS(on)，同時具有出色的熱性能，便于管理功率損耗。中心柵基底面針對并行化進行了優(yōu)化。此外，與包覆封裝相比，雙面冷卻封裝的耗散功率提高了五倍。
IQD016N08NM5CGSC特征
最先進的 80 V 硅技術
出色的 FOM
改進的熱性能
超低寄生
最大化芯片/封裝比
中心柵極基底面
行業(yè)標準封裝
IQD016N08NM5CGSC優(yōu)勢
最佳開關性能
傳導損耗最小
快速開關
降低電壓過沖
提高最大電流能力
需要并聯(lián)的器件更少
5x6 基底面上的 RDS(on) 最低
易于熱管理
IQD016N08NM5CGSC應用
低壓驅(qū)動
電動工具
電源
服務器電源
汽車電池管理系統(tǒng) (BMS)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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