IMBG120R034M2H是一款CoolSiC MOSFET分立式1200 V G2，采用TO-263-7封裝。英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導(dǎo)體工藝，經(jīng)過優(yōu)化，可實現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運行中的最高可靠性。

產(chǎn)品屬性：

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：1.2 kV

Id-連續(xù)漏極電流：58 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：90 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 7 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：5.1 V

Qg-柵極電荷：45 nC

工作溫度：- 55°C 至 + 175°C

Pd-功率耗散：278 W

封裝：PG-TO263-7

通道模式：Enhancement

商標名：CoolSiC

商標：Infineon Technologies

配置：Single

下降時間：5.2 ns

封裝：Reel

封裝：Cut Tape

產(chǎn)品：SiC MOSFETS

產(chǎn)品類型：SiC MOSFETS

上升時間：15.5 ns

系列：1200V G2

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