IMZ120R350M1H是采用TO247-4封裝的1200 V、350 mΩ CoolSiC?  SiC MOSFET，它基于先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體工藝，該工藝經(jīng)過優(yōu)化，兼具性能與可靠性。 與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)硅（Si）基開關(guān)相比，SiC MOSFET具有諸多優(yōu)勢，例如1200V級開關(guān)中最低的柵極電荷和器件電容電平、抗換向體二極管無反向恢復(fù)損耗、 獨立于溫度的低開關(guān)損耗以及無閾值導(dǎo)通特性。因此，CoolSiC? MOSFET非常適用于硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如功率因素校正（PFC）電路、雙向拓?fù)湟约癉C-DC轉(zhuǎn)換器或DC-AC逆變器。

特征描述

一流的開關(guān)和導(dǎo)通損耗

基準(zhǔn)高閾值電壓，Vth > 4 V

0V關(guān)斷柵極電壓，簡單輕松地進(jìn)行柵極驅(qū)動

柵源電壓范圍寬

損耗低且牢固的體二極管，可用于硬換向

開關(guān)關(guān)斷損耗不受溫度影響

驅(qū)動源引腳，優(yōu)化開關(guān)性能

優(yōu)勢

最高效率

減少了冷卻工作

提高了操作頻率

增加了功率密度

降低了系統(tǒng)的復(fù)雜程度

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