IMW120R090M1H是采用TO247-3封裝的1200 V、90 mΩCoolSiC?  SiC MOSFET，它基于先進的溝槽半導體工藝，該工藝經過優(yōu)化，兼具性能與可靠性。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)硅（Si）基開關相比，SiC MOSFET具有諸多優(yōu)勢，例如1200V級開關中最低的柵極電荷和器件電容電平、抗換向體二極管無反向恢復損耗、 獨立于溫度的低開關損耗以及無閾值導通特性。因此，CoolSiC? MOSFET非常適用于硬開關和諧振開關拓撲結構，如功率因素校正（PFC）電路、雙向拓撲以及DC-DC轉換器或DC-AC逆變器。

特點

極低的開關損耗

無閾值通態(tài)特性

寬廣的柵極-源極電壓范圍

基準柵極閾值電壓，VGS(th) = 4.5V

0V的關斷柵極電壓，便于簡單的柵極驅動

完全可控的dV/dt

用于硬換向的穩(wěn)健體二極管

與溫度無關的關斷開關損耗

優(yōu)勢

最高效率

減少了冷卻工作

提高了操作頻率

增加了功率密度

降低了系統(tǒng)的復雜程度

應用領域

不間斷電源（UPS）

電動汽車快速充電

太陽能系統(tǒng)解決方案

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