IMBG120R030M1H 是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封裝的1200 V, 30 mΩ CoolSiC? SiC MOSFET，它基于先進(jìn)的溝槽工藝，該工藝經(jīng)過優(yōu)化，兼具性能與可靠性。它采用改良版1200V SMD封裝，將CoolSiC技術(shù)的低功耗特性與.XT互聯(lián)技術(shù)相結(jié)合，可在電機(jī)驅(qū)動、充電模塊以及工業(yè)電源等應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最高效率和被動制冷。

特征描述

極低的開關(guān)損耗

短路能力：3 μs

dV/dt完全可控

柵極閾值電壓典型值：VGS(th) = 4.5 V

出色的抗寄生導(dǎo)通能力，能夠?qū)崿F(xiàn)0V關(guān)斷

牢固的體二極管，可用于硬開關(guān)

.XT互聯(lián)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)一流的熱性能

封裝爬電距離和電氣間隙 > 6.1 mm

Sense引腳，優(yōu)化了開關(guān)性能

優(yōu)勢

提高效率

實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率

增加功率密度

減少冷卻工作

降低系統(tǒng)復(fù)雜程度和成本

SMD封裝，無需增設(shè)散熱器，即可實(shí)現(xiàn)自然對流冷卻，因此可直接集成到PCB中

應(yīng)用領(lǐng)域

不間斷電源（UPS）

電動汽車快速充電

工業(yè)電機(jī)驅(qū)動和控制

太陽能系統(tǒng)解決方案

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。