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產(chǎn)品分類

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商品型號(hào):DMWSH120H90SCT7Q

商品名稱:碳化硅 (SiC) MOSFET

品牌:Diodes

年份:24+

封裝:TO-263-7

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:3000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

聯(lián)系人:

聯(lián)系郵箱:

聯(lián)系電話:

公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
Diodes
型號(hào)
DMWSH120H90SCT7Q
封裝
TO-263-7
描述
1200V N溝道碳化硅功率MOSFET TO-263-7

產(chǎn)品描述

DMWSH120H90SCT7Q是一款1200V N溝道碳化硅功率MOSFET,采用TO-263-7封裝,設(shè)計(jì)用于最大限度地降低導(dǎo)通電阻并保持出色的開關(guān)性能。這些功率MOSFET非常適合用于EV大功率直流-直流轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、太陽能逆變器、交流-直流牽引逆變器和汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。


DMWSH120H90SCT7Q的規(guī)格:

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時(shí)間:8.5 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值:5 S

Id-連續(xù)漏極電流:38.2 A

最大工作溫度:+ 175°C

最小工作溫度:- 55°C

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

通道數(shù)量:1 Channel

封裝 / 箱體:TO-263-7

封裝:Tube

Pd-功率耗散:197 W

產(chǎn)品類型:SiC MOSFETS

Qg-柵極電荷:54.6 nC

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:90 mOhms

上升時(shí)間:18.8 ns

工廠包裝數(shù)量:50

子類別:Transistors

技術(shù):SiC

晶體管極性:N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:17.2 ns

典型接通延遲時(shí)間:9.1 ns

Vds-漏源極擊穿電壓:1.2 kV

Vgs - 柵極-源極電壓:- 4 V, + 15 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:3.5 V


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Diodes

Diodes

Diodes Inc.成立於1966年,是美國Nasdaq上市企業(yè),為敦南科技轉(zhuǎn)投資企業(yè),主要從事半導(dǎo)體分立元件制造生產(chǎn),Diodes Inc.與光寶集團(tuán)具備合作夥伴關(guān)系,雙方共同開發(fā)、生產(chǎn)及分銷產(chǎn)品,服務(wù)廠商包括通訊、電腦、工業(yè)、電子產(chǎn)品和汽車工業(yè)等。 Diodes 公司是一家在廣闊的分…

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