DMWSH120H90SM4是一款1200V N溝道功率MOSFET，采用TO-247-4封裝。該款MOSFET旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻，同時(shí)保持出色的開(kāi)關(guān)性能，非常適合高效率電源管理應(yīng)用。

DMWSH120H90SM4的規(guī)格：

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降時(shí)間：6.4 ns

Id-連續(xù)漏極電流：40 A

最大工作溫度：+ 175°C

最小工作溫度：- 55°C

安裝風(fēng)格：Through Hole

通道數(shù)量：1 Channel

封裝 / 箱體：TO-247-4

封裝：Tube

Pd-功率耗散：235 W

產(chǎn)品類型：SiC MOSFETS

Qg-柵極電荷：51.1 nC

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：97.5 mOhms

上升時(shí)間：21.3 ns

工廠包裝數(shù)量：30

子類別：Transistors

技術(shù)：SiC

晶體管極性：N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：17.4 ns

典型接通延遲時(shí)間：9.1 ns

Vds-漏源極擊穿電壓：1.2 kV

Vgs - 柵極-源極電壓：- 4 V, + 15 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：3.5 V

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