SCT3060ARC15是一款650V N通道 4引腳封裝 SiC（碳化硅）MOSFET，非常適用于要求高效率的服務器用電源、太陽能逆變器及電動汽車充電站等應用。與以往的3引腳封裝（TO-247N）相比，導通損耗和關斷損耗合起來預計可降低約35％的損耗。

SCT3060ARC15的規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術：SiC（碳化硅結晶體管）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：39A（Tj）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：78 毫歐 @ 13A，18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 6.67mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：58 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+22V，-4V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：852 pF @ 500 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：165W

工作溫度：175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：TO-247-4L

封裝/外殼：TO-247-4

基本產(chǎn)品編號：SCT3060

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