C2M0280120D—碳化硅功率 MOSFET C2MTM MOSFET 技術(shù) N 溝道增強(qiáng)模式

特點(diǎn)

? C2MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)

? 高阻塞電壓，低導(dǎo)通電阻

? 高速開關(guān)，低電容

? 快速本征二極管，低反向恢復(fù) (Qrr)

? 無鹵素，符合 RoHS 規(guī)范

規(guī)格

FET： 類型 N 通道  

技術(shù)： SiCFET（碳化硅）  

漏源電壓（Vdss）： 1200 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：10A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 20V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： 370 毫歐 @ 6A，20V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 2.8V @ 1.25mA（典型值）  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 20.4 nC @ 20 V  

Vgs（最大值）： +25V，-10V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 259 pF @ 1000 V   

功率耗散（最大值）： 62.5W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 150°C（TJ）  

安裝類型： 通孔  

供應(yīng)商器件封裝： TO-247-3  

封裝/外殼： TO-247-3 

應(yīng)用

? 可再生能源

? 高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器

? 開關(guān)模式電源

? 不間斷電源

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