IMDQ75R020M1H是一款750 V、81 A碳化硅MOSFET分立器件。英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導(dǎo)體工藝，經(jīng)過優(yōu)化，可實(shí)現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運(yùn)行中的最高可靠性。

規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiC

漏源電壓（Vdss）：750 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：81A（Tj）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，20V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：18 毫歐 @ 32.5A，20V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 11.7mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：67 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+20V，-2V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：2217 pF @ 500 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：326W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等級：-

資質(zhì)：-

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-HDSOP-22-1

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