Qorvo QPD2160D 1600μm 分立式GaAs pHEMT（贗配高電子遷移率晶體管）具有直流至20GHz工作頻率。  QPD2160D在P1dB條件下提供32.5dBm輸出功率典型值，增益為10.4dB，在1dB壓縮下提供63%功率附加效率。

特征

頻率范圍：直流至20GHz

P1dB輸出功率：32.5dBm（典型值）

增益：10.4dB（12GHz時典型值）

PAE：63%（12GHz時典型值）

噪聲系數(shù)：1dB（12GHz時典型值）

漏極電壓：8V

漏極電流：258mA

0.25μm GaAs pHEMT技術(shù)

裸片尺寸：0.41mm x 0.54mm x 0.10mm

無鹵、無鉛、符合RoHS指令

應(yīng)用

通信

雷達

點對點無線電

衛(wèi)星通信

• 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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