Qorvo QPD2120D 1200μm 分立式GaAs pHEMT（假晶高電子遷移率晶體管）的工作頻率范圍為直流至20GHz。通常情況下，QPD2120D的輸出功率為31dBm（P1dB時），增益為11.5dB，功率附加效率為57%（1dB壓縮時）。

QPD2120D GaAs pHEMT采用0.41mm x 0.54mm x 0.10mm裸片。該器件采用帶氮化硅的保護(hù)層，可提供環(huán)境穩(wěn)健性和防刮痕保護(hù)。

功能

頻率范圍：直流至20GHz

P1dB輸出功率：31dBm（典型值）

增益：11dB（12GHz時典型值）

PAE：57%（12GHz時典型值）

噪聲系數(shù)：1dB（12GHz時典型值）

漏極電壓：8V

漏極電流：194mA

0.25μm GaAs pHEMT技術(shù)

裸片尺寸：0.41mm x 0.54mm x 0.10mm

無鹵、無鉛、符合RoHS指令

應(yīng)用

通信

雷達(dá)

點(diǎn)對點(diǎn)無線電

衛(wèi)星通信

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